Introducción. | INTRODUCCIÓN |
Capitulo 1. | Antecedentes |
| 1.1. Semiconductores |
| 1.1.1. Conductividad eléctrica |
| 1.1.2. Semiconductores intrínsecos. |
| 1.1.3. Semiconductores extrínsecos. |
| 1.1.4. Semiconductores compuestos |
| 1.2. Aplicaciones de materiales semiconductores |
| 1.3. Detalles de baño químico |
| 1.3.1. Reacciones de precipitación |
Capitulo 2. | Objetivos |
| 2.1. Objetivo general |
| 2.2. Objetivos particulares |
Capitulo 3. | Desarrollo Experimental |
| 3.1. Elaboración de películas |
| 3.1.1. Preparación de películas de CdS |
| 3.1.2. Preparación de películas de CuS |
| 3.1.3. Preparación de películas de PbS |
| 3.2. Composición química |
| 3.2.1. Espectroscopia electrónica de rayos X |
| 3.3. Propiedades ópticas |
| 3.3.1. Microscopia de Fuerza Atómica |
| 3.3.2. Espectrofotometría |
| 3.3.3. Cálculo de brecha de energía prohibida |
| 3.3.4. Índice de refracción (N) y espesor (t) |
| 3.3.5. Fotoluminiscencia |
| 3.3.6. Foto-respuesta |
| 3.4. Resistencia Eléctrica en función de la Temperatura. |
| 3.4.1. Técnica de medición de resistencia eléctrica a cuatro puntos. |
Capitulo 4. | Resultados |
| 4.1. Espectroscopia electrónica de rayos X (XPS) |
| 4.2. Microscopía de Fuerza Atómica AFM |
| 4.3. Resistencia en función de la Temperatura |
| 4.4. Espectros de transmisión y reflexión de las películas CuS, CdS y PbS. |
| 4.4.1. Estimación de la banda de energía prohibida directa e indirecta |
| 4.4.2. Índice de refracción en función de la longitud de onda |
| 4.4.3. Medición del espesor de las películas y obtención del índice de refracción |
| 4.5. Foto-respuesta |
| 4.6. Fotoluminiscencia |
Capitulo 5. | Conclusiones y Perspectivas |
| 5.1. Conclusiones |
| 5.2. Perspectivas |
Partes. | ANEXO |
Bibliografía. | Referencias |